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第一章 常用半导体器件

1、半导体基础知识

一、本征半导体

二、杂质半导体

三、PN结的形成及其单向导电性

四、PN结的电容效应

一、本征半导体

1、什么是半导体?什么是本征半导体?

导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。

导体——铁、铝、铜等金属元素等价低元素,其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动,形成电流。

绝缘体——惰性气体、橡胶等,其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强,只有在外电场强到一定程度时才可能导电。

半导体——硅(Si)、锗(Ge),均为四价元素,它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。

本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。

2、本征半导体的结构

自由电子与空穴相碰同时消失,称为复合。

一定温度下,自由电子与空穴对的浓度一定;温度升高,热运动加剧,挣脱共价键的电子增多,自由电子与空穴对的浓度加大。

3、本征半导体中的两种载流子

运载电荷的粒子称为载流子。

外加电场时,带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电,且运动方向相反。由于载流子数目很少,故导电性很差。

温度升高,热运动加剧,载流子浓度增大,导电性增强。

热力学温度0K时不导电。

为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体?

二、杂质半导体

1.N型半导体

杂志半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多,电子浓度越高,导电性越强,实现导电性可控。

2.P型半导体

P型半导体主要靠空穴导电,掺入杂质越多,空穴浓度越高,导电性越强。

在杂质半导体中,温度变化时,载流子的数目变化吗?少子与多子变化的数目相同吗?少子与多子浓度的变化相同吗?

1.变化

2.相同

3.不同:加入多数载流子增加了两个,少数载流子也增加了两个,可能多数载流子增加了千分之一,而少数载流子只增加了百分之一。

三、PN结的形成及其单向导电性

物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有之。

扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低,产生内电场。

PN结的形成

由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子,形成内电场,从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N区运动。

因电场作用所产生的运动称为漂移运动

参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同,达到动态平衡,就形成了PN结。

PN结的单向导电性

PN结加正向电压导通:

耗尽层变窄,扩散运动加剧,由于外电源的作用,形成扩散电流,PN结处于导通状态。

PN结加反向电压截至:

耗尽层变宽,阻止扩散运动,有利于漂移运动,形成漂移电流。由于电流很小,故可近似认为其截至。